分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 MCH6660-TL-H品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
MCH6660-TL-H • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| MCH6660-TL-H |
ON Semiconductor |
MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6 |
0 |
3,000:$0.35196
|
| MCH6662-TL-H |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 |
0 |
3,000:$0.35196
|
| MCH6663-TL-H |
ON Semiconductor |
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 |
0 |
3,000:$0.35196
|
| NVMFD5877NLT1G |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC |
0 |
1,500:$0.36016
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MCH6660-TL-H • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
N 和 P 溝道
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
2A，1.5A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
136 毫歐 @ 1A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
-
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
1.7nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
128pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
800mW
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| 安裝類型: |
*
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| 封裝/外殼: |
*
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
*
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| 包裝: |
*
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