| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | 0 | 3,000:$0.40600 6,000:$0.38570 15,000:$0.36975 30,000:$0.35960 75,000:$0.34800 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | N 和 P 溝道 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 2.9A，2.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 60 毫歐 @ 3.4A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1.1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 830mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-TSOP |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |