| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S | 0 | 3,000:$0.86400 6,000:$0.83200 15,000:$0.80000 30,000:$0.78400 75,000:$0.76800 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 40A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.8 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 48W，100W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-PowerWDFN |
| 供應商設備封裝: | 8-PowerPair? |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |