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兩極晶體管 - BJT HN4B01JE(TE85L,F)品牌、價格、PDF參數

HN4B01JE(TE85L,F) • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格(人民幣)
HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V 8955 1:￥0.69
10:￥0.552
100:￥0.469
250:￥0.428
HN4B01JE(TE85L,F) • PDF參數
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V, Vceo=50V
RoHS: 否
PDF參數:
制造商 Toshiba
配置 Dual
晶體管極性 NPN/PNP
集電極—基極電壓 VCBO 60 V @ NPN or 50 V @ PNP
集電極—發射極最大電壓 VCEO 50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO 5 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流 0.15 A
增益帶寬產品fT 80 MHz (Min)
直流集電極/Base Gain hfe Min 120 at 2 mA at 6 V
最大工作溫度 + 150 C
安裝風格
封裝 / 箱體