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兩極晶體管 - BJT HN1B04FU-GR(L,F,T)品牌、價格、PDF參數

HN1B04FU-GR(L,F,T) • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格(人民幣)
HN1B04FU-GR(L,F,T) Toshiba 兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA 17940 1:￥0.552
10:￥0.483
250:￥0.414
500:￥0.359
3,000:￥0.269
5,000:￥0
HN1B04FU-GR(L,F,T) • PDF參數
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA
RoHS: 否
PDF參數:
制造商 Toshiba
配置 Dual
晶體管極性 NPN/PNP
集電極—基極電壓 VCBO 60 V, - 50 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO + / - 50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO + / - 5 V
集電極—射極飽和電壓 0.1 V
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT 150 MHz, 120 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 120
最大工作溫度 + 125 C
安裝風格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 2-2J1A