MOSFET IPB042N10N3GE818XT品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB042N10N3GE818XT • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| IPB042N10N3GE818XT | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS Power Transistor | 可訂貨 | |
| BTS282ZE3180AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | 可訂貨 | |
| BTS244ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TEMPFET | 可訂貨 |
IPB042N10N3GE818XT • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: | RF/IF 和 RFID >> MOSFET |
|---|---|
| 描述: | MOSFET OptiMOS Power Transistor |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 汲極/源極擊穿電壓 | 100 V |
| 閘/源擊穿電壓 | +/- 20 V |
| 漏極連續(xù)電流 | 100 A |
| 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） | 4.2 mOhms at 10 V |
| 配置 | Single |
| 最大工作溫度 | + 175 C |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體 | PG-TO263-3 |
| 封裝 |
電子產(chǎn)品資料
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