| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| HN7G09FE(TE85L,F) | Toshiba | 兩極晶體管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA | 11976 | 1:￥0.621 10:￥0.483 100:￥0.414 250:￥0.38 |
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT |
|---|---|
| 描述: | 兩極晶體管 - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | |
| 制造商 | Toshiba |
| 配置 | Dual |
| 晶體管極性 | NPN |
| 集電極—基極電壓 VCBO | 50 V |
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO | 50 V |
| 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO | 10 V |
| 集電極—射極飽和電壓 | |
| 最大直流電集電極電流 | |
| 增益帶寬產(chǎn)品fT | 250 MHz |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min | 80 |
| 最大工作溫度 | |
| 安裝風格 | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體 | ES-6 |