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兩極晶體管 - BJT PBSS4260PAN,115品牌、價格、PDF參數(shù)

PBSS4260PAN,115 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
PBSS4260PAN,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS4260PANP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS5260PAP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 60V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS4130PANP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS4230PANP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS5130PAP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 30V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS5160PAP,115 NXP Semiconductors 兩極晶體管 - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor 可訂貨
PBSS4260PAN,115 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 NXP Semiconductors
配置 Dual
晶體管極性 NPN
集電極—基極電壓 VCBO 60 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 7 V
集電極—射極飽和電壓 70 mV
最大直流電集電極電流 3 A
增益帶寬產(chǎn)品fT 140 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 290
最大工作溫度 + 150 C
安裝風格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 DFN2020-6