IC/電子元器件
MOSFET IPB06CNE8N G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB06CNE8N G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| IPB06CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A | 可訂貨 |
IPB06CNE8N G • PDF參數(shù)
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> MOSFET |
|---|---|
| 描述: | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | 
|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 汲極/源極擊穿電壓 | 85 V |
| 閘/源擊穿電壓 | +/- 20 V |
| 漏極連續(xù)電流 | 100 A |
| 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） | 6.2 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最大工作溫度 | + 175 C |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體 | TO-263 |
| 封裝 | Reel |
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