MOSFET SI1907DL-T1-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI1907DL-T1-E3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格(人民幣) |
|---|---|---|---|---|
| SI1907DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 12V 0.56A | 可訂貨 | |
| SUD50N03-7M3P-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 30V 50A 65A | 可訂貨 | |
| SI4423DY-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET -20V -8A | 可訂貨 | |
| SUB75N08-09L-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 75V 75A 250W | 可訂貨 |
SI1907DL-T1-E3 • PDF參數(shù)
| 類別: | RF/IF 和 RFID >> MOSFET |
|---|---|
| 描述: | MOSFET 12V 0.56A |
| RoHS: | 否 |
| PDF參數(shù): | 
|
| 制造商 | Vishay/Siliconix |
| 晶體管極性 | P-Channel |
| 汲極/源極擊穿電壓 | 12 V |
| 閘/源擊穿電壓 | +/- 8 V |
| 漏極連續(xù)電流 | 0.53 A |
| 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通） | 0.65 Ohms |
| 配置 | Dual |
| 最大工作溫度 | + 150 C |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體 | SOT-363-6 |
| 封裝 | Reel |
電子產(chǎn)品資料
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