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MOSFET TPCS8210(TE12L,Q)品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

TPCS8210(TE12L,Q) • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
TPCS8210(TE12L,Q) Toshiba MOSFET N-Ch Dual 20V 5A 0.030 Ohms 可訂貨
2SK2507(F) Toshiba MOSFET N-ch 50V 25A 0.058 ohm 可訂貨
TPC8025(TE12L,Q,M) Toshiba MOSFET N-ch 30V 11A SOP-8 可訂貨
2SK2231(TE16R1,NQ) Toshiba MOSFET N-Ch 60V 5A Rdson 0.12 Ohm 可訂貨
TPCA8103(TE12L,Q,M Toshiba MOSFET MOSFET P-Ch 30V 40A 可訂貨
TK15A60U(Q) Toshiba MOSFET MOSFET N-Ch 600V 15 可訂貨
TPCP8001-H(TE85LFM Toshiba MOSFET MOSFET N-Ch 30V 7.2A Rdson=0.016Ohm 可訂貨
TPC8A02-H(TE12LQM) Toshiba MOSFET N-ch 30V 16A SOP-8 可訂貨
TPC8017-H(TE12LQM) Toshiba MOSFET MOSFET N-Ch 30V 15A 可訂貨
2SJ412(SM,Q) Toshiba MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm 可訂貨
2SK2993(TE24L,Q) Toshiba MOSFET MOSFET N-Ch 250V 20A Rdson 0.105 Ohm 可訂貨
2SK2399(Q) Toshiba MOSFET N-Ch 100V 5A 0.17 ohm 可訂貨
TPCS8210(TE12L,Q) • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述: MOSFET N-Ch Dual 20V 5A 0.030 Ohms
RoHS:
PDF參數(shù):
制造商 Toshiba
晶體管極性 N-Channel
汲極/源極擊穿電壓 20 V
閘/源擊穿電壓 12 V
漏極連續(xù)電流 5 A
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通) 0.03 Ohms
配置 Dual Dual Source
最大工作溫度
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 TSSOP-8
封裝 Reel