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兩極晶體管 - BJT MBT35200MT1品牌、價格、PDF參數(shù)

MBT35200MT1 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格(人民幣)
MBT35200MT1 ON Semiconductor 兩極晶體管 - BJT Low Saturation 可訂貨
MBT35200MT1 • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT Low Saturation
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 ON Semiconductor
配置 Single
晶體管極性 PNP
集電極—基極電壓 VCBO - 55 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO - 35 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 5 V
集電極—射極飽和電壓 - 35 V
最大直流電集電極電流 2 A
增益帶寬產(chǎn)品fT 100 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min 100 at 1 A at 1.5 V
最大工作溫度 + 150 C
安裝風格 SMD/SMT
封裝 / 箱體 TSOP-6