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兩極晶體管 - BJT 2N5366_Q品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

2N5366_Q • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格(人民幣)
2N5366_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose 可訂貨
BC212L_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP -50V -300mA HFE/3 可訂貨
KSD261YTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor 可訂貨
BC636_D26Z Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP 可訂貨
KSC1730YTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor 可訂貨
MJD30TF Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT 可訂貨
KSA1175YTA_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor 可訂貨
KSC1173YTU_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT 可訂貨
MPSW06_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose 可訂貨
BSR18A_Q Fairchild Semiconductor 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose 可訂貨
2N5366_Q • PDF參數(shù)
類別: RF/IF 和 RFID >> 兩極晶體管 - BJT
描述: 兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS: 否
PDF參數(shù):
制造商 Fairchild Semiconductor
配置 Single
晶體管極性 PNP
集電極—基極電壓 VCBO 40 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO 4 V
集電極—射極飽和電壓 40 V
最大直流電集電極電流 0.5 A
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min 80 at 2 mA at 10 V
最大工作溫度 + 150 C
安裝風(fēng)格 Through Hole
封裝 / 箱體 TO-92