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變容二極管1sv101 to-92s

品牌 toshiba東芝 型號 1sv101 to-92s
應用范圍 變容 結構 點接觸型
材料 硅(si) 封裝形式 直插型
封裝材料 塑料封裝 功率特性 小功率
頻率特性 中頻 正向工作電流 10n(a)
最高反向電壓 3~9(v)


變容二極管(varactor diodes)又稱"可變電抗二極管"。是一種利用pn結電容(勢壘電容)與其反向偏置電壓vr的依賴關系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶,并采用外延工藝技術。反偏電壓愈大,則結電容愈小。變容二極管具有與襯底材料電阻率有關的串聯電阻。主要參量是:零偏結電容、零偏壓優值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標稱電容、電容變化范圍(以皮法為單位)以及截止頻率等,對于不同用途,應選用不同c和vr特性的變容二極管,如有專用于諧振電路調諧的電調變容二極管、適用于參放的參放變容二極管以及用于固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變容二極管等。   用于自動頻率控制(afc)和調諧用的小功率二極管稱變容二極管。日商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓, 使其pn結的靜電容量發生變化。因此,被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常,雖然是采用硅的擴散型二極管,但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊的二極管,因為這些二極管對于電壓而言,其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓vr變化,取代可變電容,用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環路,常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路,多以硅材料