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2on60場效應管

品牌 英飛凌 型號 20n60
種類 結型(jfet) 溝道類型 n溝道
導電方式 增強型 用途 a/寬頻帶放大
封裝外形 cer-dip/陶瓷直插 材料 ge-n-fet鍺n溝道
開啟電壓 1200(v) 夾斷電壓 1200(v)

infineon英飛凌原裝coolmos產地:德國

spa20n60c3   to-220f

spp20n60c3    to-220

spw20n60cfd   to-247

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spp20n60c3    vds/600v;  rds0.19ω;   /d/20.7a;  208w;

marking:20n60c3

英飛凌的功率芯片的工藝采用了離子注入技術,這是一種全球領先的工藝技術,而世界上的其他半導體廠商用的工藝仍然是熱擴散技術;離子注入技術與熱擴散技術相比,其優點在于,離子注入技術可以很好地控制半導體擴散到硅基板中的濃度和厚度,精度極高,制造的器件有一個重要特點就是一致性特別好,而舊的離子擴散技術由于溫度控制的精度很難做得很高,所以器件的一致性不如離子注入技術。

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