| 品牌 | 英飛凌 | 型號 | 20n60 |
| 種類 | 結型(jfet) | 溝道類型 | n溝道 |
| 導電方式 | 增強型 | 用途 | a/寬頻帶放大 |
| 封裝外形 | cer-dip/陶瓷直插 | 材料 | ge-n-fet鍺n溝道 |
| 開啟電壓 | 1200(v) | 夾斷電壓 | 1200(v) |
infineon英飛凌原裝coolmos產地:德國
spa20n60c3 to-220f
spp20n60c3 to-220
spw20n60cfd to-247
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spp20n60c3 vds/600v; rds0.19ω; /d/20.7a; 208w;
marking:20n60c3
英飛凌的功率芯片的工藝采用了離子注入技術,這是一種全球領先的工藝技術,而世界上的其他半導體廠商用的工藝仍然是熱擴散技術;離子注入技術與熱擴散技術相比,其優點在于,離子注入技術可以很好地控制半導體擴散到硅基板中的濃度和厚度,精度極高,制造的器件有一個重要特點就是一致性特別好,而舊的離子擴散技術由于溫度控制的精度很難做得很高,所以器件的一致性不如離子注入技術。
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