svd4n60d n溝道增強型高壓功率mos場效應晶體管采用仕蘭微電子的s-rin^tm平面高壓vdmos工藝技術制造。先進的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
   該產品可廣泛應用于ac-dc開關電源，dc-dc電源轉換器，高壓h橋pmw馬達驅動。
特點：

*4a，600v，rds(on)=2.0ω@vgs=10v
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開關速度快
*提升了dv/dt能力
 

還可其它規格：1n60db（to-92）、1n60m（to-251）、1n60b（to-92）、1n60d（to-252）、2n60f（to-220f）、2n60m（to-251）、2n60d（to-252）、2n60t（to-220）、2n70f（to-220f）、4n60f（to-220f）、4n60d（to-252）、4n60t（to-220）、4n65f（to-220f）、7n60f（to-220f）、7n60t（to-220）、8n60f（to-220f）、10n65f（to-220f）、10n65t（to-220）、12n65f（to-220f）、12n65t（to-220）、730f（to-220f）、730t（to-220）、830f（to-220f）、830t（to-220）、830d（to-252）、840f（to-220f）、840t（to-220）