供應巨磁電阻(GMR)芯片
| 品牌 |
hme |
型號 |
ss50 |
| 種類 |
磁敏 |
材料 |
混合物 |
| 材料物理性質 |
半導體 |
材料晶體結構 |
多晶 |
| 工藝 |
薄膜 |
輸出信號 |
模擬型 |
| 防護等級 |
ip68 |
線性度 |
0.01(%f.s.) |
| 遲滯 |
0.1(%f.s.) |
重復性 |
0.1(%f.s.) |
| 靈敏度 |
23 |
漂移 |
0.001 |
| 分辨率 |
12 |
| |
利用巨磁電阻(gmr)效應研究開發的巨磁電阻(gmr)傳感器芯片,具有體積小、靈敏度高、線性好、線性范圍寬、響應頻率高、使用溫度特性好、可靠性高、成本低等特點,是各種傳統傳感器的換代產品。巨磁電阻(gmr)傳感器芯片在國際上的實際應用剛剛開始。近兩年來,我公司根據市場的實際需要,陸續開發、了hm系列gmr芯片產品。該系列產品主要運用于磁頭、接近開關齒輪轉速傳感器、電流檢測、磁柵尺、磁編碼器、角度傳感器、電子羅盤及各種弱磁檢測等領域。