肖特基二極管

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肖特基二極管

簡介肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（schottky）命名的，sbd是肖特基勢壘二極管（schottkybarrierdiode,縮寫成sbd）的簡稱。sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理的。因此，sbd也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

是近年來間世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4v左右，而整流電流卻可達到幾千安培。這些優良特性是快恢復二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。

原理

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）a為正極，以n型半導體b為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為n型半導體中存在著的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的b中向濃度低的a中擴散。顯然，金屬a中沒有空穴，也就不存在空穴自a向b的擴散運動。隨著電子不斷從b擴散到a，b表面電子濃度表面逐漸降輕工業部，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為b→a。但在該電場作用之下，a中的電子也會產生從a→b的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。