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高頻低損耗meb金屬化薄膜電容

品牌 csd 型號 meb
介質材料 有機薄膜 應用范圍 耦合
外形 方塊狀 功率特性 小功率
頻率特性 中頻 調節方式 固定
引線類型 同向引出線 允許偏差 ±10(%)
耐壓值 1000(v) 標稱容量 0. 001μf~10μf(uf)
損耗 ≤1.0%(20℃ 1khz) 額定電壓 100vdc-250vdc-400vdc-630vdc(v)

高頻低損耗塑膠外殼金屬化聚酯膜電容器meb

引用標準:gb7332 (iec60384-2)

氣候類別:40/100/21

額定電壓:100vdc-250vdc-400vdc-630vdc

容量范圍:0. 001μf~10μf

容量偏差:±5%(j);±10%(k)

耐電壓:1.6ur(5s)

工作溫度:-40℃~+100

損耗角正切:≤1.0%(20℃1khz)

絕緣電阻≥15000mω ;c≤0.33μf, ≥5000mω ;c more than 0.33μf;

(20℃,100v 1min)

特征用途:

1.盒式塑膠外殼封裝,單向引出線

2.無感式結構及良好的自愈特性

3.絕緣電阻高,容量穩定性好

4.適用于直流和脈沖電路,廣泛用于廣播電視新產品,郵電通信設備,數據處理設備及各種電子儀器中。