| 品牌 | 國產 | 型號 | 全系列 |
| 介質材料 | 陶瓷(瓷介) | 應用范圍 | 旁路 |
| 外形 | 圓片形 | 功率特性 | 大功率 |
| 頻率特性 | 高頻 | 調節方式 | 固定 |
| 引線類型 | 徑向引出線 | 允許偏差 | ±20(%) |
| 耐壓值 | 50(v) | 標稱容量 | 0.5p-0.22uf |
| 損耗 | ≤5% | 額定電壓 | 50(v) |
| 額定電流 | 1m(a) |
我司的陶瓷電容器,依據瓷介電容器的特點,主要有三大類型.
1. 溫度補償型: 溫度補償型圓片瓷介電容器主要是由氧化鈦組成,特點是具有較低的介電常數,損耗低,高穩定性,電容量隨溫度改變呈線性變化,適用于諧振回路和需要補償溫度效應的高穩定性的電路中.
2. 高電介質常數型: 高電介質常數型圓片瓷介電容器主要是以鈦酸負鋇為苦基而制成,其特點是介電常數高,容量大,損耗低,體積小,適用于旁路、耦合、隔直流和濾波等電路中.
3. 半導體型: 半導體型圓片瓷介電容器的陶瓷芯片屬于表面層半導體結構,有表面和晶界層之分,其電容器具有大容量、小體積等特點,適用于濾波、旁路、耦合等電路中.