介電容器：
瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為i型（cc型）和ii型（ct型）。
i型（cc型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用于高頻電路。
ii型（ct型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用于低頻電路。
cc1型圓片高頻瓷介電容
適用于諧振回路及其他電路做溫度補償，耦合，隔直使用。損耗：《0.025絕緣電阻：10000mohm 試驗電壓：200v
允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1p) 10p以上（j,k,m）溫度系數：-150--- -1000ppm/c環境溫度：-25—85c 相對濕度：+40c時達96%

ct1型圓形瓷片低頻電容：
環境溫度：-25—85c 相對濕度：+40c時達96%工作電壓50v電容范圍和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
cc01圓形瓷片電容：
環境溫度：-25—85c 相對濕度：+40c時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1p) 10p以上（j,k,m）
溫度系數：1—4p +120(+-60)ppm 4—56p –47(+-60)ppm
56—180p –750(+-250)ppm
180—390p –1300(+-250)ppm
430—820p –3300(+-500)ppm
ct01圓形瓷片電容：
環境溫度：-25—85c 相對濕度：+40c時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05絕緣電阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作電壓：63v 試驗電壓：200v cc10 超高頻瓷介電容
可用于《500mhz下，環境溫度：-55—85c 相對濕度：+40c時達98% 壓力33mmhg 震動強度：加速度10g 沖擊：加速度25g 離心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作電壓：500v
cc11,ct11園片無引線瓷片電容
該電容特為高頻頭設計，頻率特性好。
cc11直流電壓：250v標稱容量：3—39p損耗：《0.0015 絕緣》10000mohm
ct11直流電壓：160v標稱容量：240—1500 絕緣》2500mohm
ct82,cc82高壓高功率瓷片電容：
環境溫度：-25—85c 相對濕度：+40c時達98%大氣 壓力40000pa 震動：加速度15g 沖擊：加速度15g額定電壓：1—4kv 試驗電壓：2.5—8kv允差：k,m

獨石瓷介電容器：
cc4d獨石瓷介電容器
環境溫度：-55—85c 相對濕度：+40c時達98% 大氣壓力666.6pa損耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作電壓：40v 試驗電壓：120v
ct4d獨石瓷介電容器
環境溫度：-55—85c 相對濕度：+40c時達98% 大氣壓力1000pa損耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作電壓：40v-100v 試驗電壓：3uw允差：+80-20%
cc2,ct2管形瓷介電容器
與片形瓷介電容相比，機械強度高，用作旁路時內電極屏蔽性能好，用在高頻電阻雜散耦合好，缺點是固有諧振頻率低，制造工藝復雜，產量低。
ct2 損耗《0.04絕緣電阻<1000mohm 試驗電壓：480v
使用條件：-55—85c相對濕度：40c時達98% cc3,cctd型疊片瓷介電容器cctf型方形疊片瓷片電容器
cc3損耗《0.0015 容量：33-1000p 允差：k,m 工作電壓：100v
cctd損耗《0.035 容量：470-33000p 允差：+80-20% 工作電壓：250v
cctf損耗《0.04 容量：10000-47000p 允差：+80-20% 工作電壓：160v
cc53,cc52,ct53,ct52穿心式瓷介電容
該類電容使用于vhf,uhf調諧器和其他無線電設備中做高低頻旁路濾波用。
cc52e-1c 容量：2-33p工作電壓：63v 絕緣電阻：10000mohm損耗：《0.0015
cc53-2c 容量：1000-1500p工作電壓：160v 絕緣電阻：1000mohm損耗《0.035
ct87鼓形高壓低頻瓷介電容器,該電容主要使用于電子設備的脈沖電路。cc87-1 容量：470p工作電壓：10kv 絕緣電阻：10000mohm
ccg81型板形高功率瓷介電容：使用于大功率高頻電子設備中。容量：1000p 工作電壓20kv(高頻15kv) 額定無功功率：100kva最大電流：25a 最大重量：1.3kg