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2SC3375

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  • 2SC3375
    2SC3375

    2SC3375

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 8000

  • AD562AKD

  • AD598SD/883B

  • 21+

  • -

  • ALTERA.XILINX代理指定授權(quán)分...

  • 2SC3375-T1-A
    2SC3375-T1-A

    2SC3375-T1-A

  • 深圳市三磚科技有限公司
    深圳市三磚科技有限公司

    聯(lián)系人：黃先生

    電話：18823887255

    地址：賽格科技園4棟西10樓C座

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 2025+

  • SOT-89

  • 13500

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，假一罰十

  • 2SC3375-T1-A
    2SC3375-T1-A

    2SC3375-T1-A

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 30000

  • RENESAS

  • SOT-89

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • 2SC3375
    2SC3375

    2SC3375

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號，原裝正品公司現(xiàn)貨！

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  • 1
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2SC3375 技術(shù)參數(shù)
  • 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC3357-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E
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