2SC4226-T1-A R24

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2SC4226-T1-A R24
深圳市三磚科技有限公司
深圳市三磚科技有限公司
聯系人：黃先生盧先生
電話：18823887255
地址：賽格科技園4棟西10樓C座
資質：營業執照
10680
RENESAS
SOT323
2021+
-
全新原裝現貨，全網最低，假一罰十

2SC4226-T1-A R24
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3004875
RENESAS
SOT-323
15+14+roh
-
全新原裝現貨

2SC4226-T1-A R24
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
RENESAS
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

2SC4226-T1-A R24
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：18948176968
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
81000
RENESAS
SOT-323
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

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2SC4226-T1-A R24 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC4226-T1-A R24 技術參數

2SC4226-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2SC4226-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:4.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 7mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70-3 標準包裝:1 2SC4215-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 30V 550MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2dB ~ 5dB @ 100MHz 增益:17dB ~ 23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4215-O(TE85L,F) 功能描述:RF TRANS NPN 30V 20MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:550MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:5dB @ 100MHz 增益:23dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1mA，6V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4213BTE85LF 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:350 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC4381 2SC4382 2SC4388 2SC43910RA 2SC441000L 2SC4420 2SC4445 2SC4466 2SC4467 2SC4468 2SC4482T-AN 2SC4482U-AN 2SC4486S-AN 2SC4486T-AN 2SC4487S-AN 2SC4487T-AN 2SC4488S-AN 2SC4488T-AN