2SK2632(LS)

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2SK2632(LS)
深圳市三磚科技有限公司
深圳市三磚科技有限公司
聯(lián)系人：黃先生
電話：18823887255
地址：賽格科技園4棟西10樓C座
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8650
臺(tái)產(chǎn)
TO-220
25+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，假一罰十

2SK2632(LS)
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
三洋
TO-220
15+
-
原裝正品，假一罰十

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2SK2632(LS) 技術(shù)參數(shù)

2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2.5A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS）標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.8A，15V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS）標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2544(F) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.25 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J

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