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- 功能描述
- MOSFET N-CH 1000V 21A T-MAX
- RoHS
- 是
- 類別
- 分離式半導體產品 >> FET - 單
- 系列
- POWER MOS V®
- 標準包裝
- 1,000
- 系列
- MESH OVERLAY™
- FET 型
- MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 特點
- 邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)
- 200V
- 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
- 18A
- 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
- 180 毫歐 @ 9A，10V
- Id 時的 Vgs(th)（最大）
- 4V @ 250µA
- 閘電荷(Qg) @ Vgs
- 72nC @ 10V
- 輸入電容 (Ciss) @ Vds
- 1560pF @ 25V
- 功率 - 最大
- 40W
- 安裝類型
- 通孔
- 封裝/外殼
- TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝
- TO-220FP
- 包裝
- 管件
APT10050B2VFRG 技術參數
-
APT10045JLL
功能描述:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:460W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1
APT10045B2LLG
功能描述:MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1
APT1003RKLLG
功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:694pF @ 25V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50
APT1003RBLLG
功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:694pF @ 25V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1
APT10035LLLG
功能描述:MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:186nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5185pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:690W (Tc) 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25
APT100GLQ65JU2
APT100GLQ65JU3
APT100GN120B2G
APT100GN120J
APT100GN120JDQ4
APT100GN60B2G
APT100GN60LDQ4G
APT100GT120JR
APT100GT120JRDQ4
APT100GT120JU2
APT100GT120JU3
APT100GT60B2RG
APT100GT60JR
APT100GT60JRDQ4
APT100M50J
APT100MC120JCU2
APT100S20BG
APT100S20LCTG
