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APT5020BNF

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT5020BNFR
深圳市三磚科技有限公司
深圳市三磚科技有限公司
聯系人：黃先生
電話：18823887255
地址：賽格科技園4棟西10樓C座
資質：營業執照
6500
MICROSEMI
TO-247
25+
-
全新原裝正品現貨，全網好價

APT5020BNFR
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT5020BNFR
深圳市歐瑞芯電子有限公司
深圳市歐瑞芯電子有限公司
聯系人：韓小姐、張先生
電話：1353040899018475619159
地址：深圳市福田區現代之窗A座11C/香港元朗區宏業西街33號元朗貿易中心206室
資質：營業執照
11600
MICROSEMI
TO-247
25+
-
原廠渠道原裝現貨假一罰十真實庫存

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD

APT5020BNF 技術參數

APT5020BN 功能描述:MOSFET N-CH 500V 28A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT5018BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2596pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT5016BLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2833pF @ 25V 功率 - 最大值:329W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT5016BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2833pF @ 25V 功率 - 最大值:329W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT5014SLLG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 500V 35A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3261pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:403W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 17.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:1 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G APT50GN60BDQ2G APT50GN60BG APT50GP60B2DQ2G APT50GP60BG APT50GP60J APT50GP60JDQ2 APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG