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AUIRF1018ES

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRF1018ES
    AUIRF1018ES

    AUIRF1018ES

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • IR

  • TO-263

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • AUIRF1018ES
    AUIRF1018ES

    AUIRF1018ES

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • INTERNATI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • AUIRF1018ES
    AUIRF1018ES

    AUIRF1018ES

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 2350

  • IR

  • D2-Pak

  • 201315+

  • -

  • 原裝正品，現貨庫存！400-800-03...

  • AUIRF1018ES
    AUIRF1018ES

    AUIRF1018ES

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • AUIRF1018ES
    AUIRF1018ES

    AUIRF1018ES

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：張經理

    電話：18653422656

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 10

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -

  • 晶體管

  • 1/1頁 40條/頁 共28條 
  • 1
AUIRF1018ES PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 60V 79A 8.4 mOhm Automotive MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRF1018ES 技術參數
  • AUIRF1018E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:79A（Tc） 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2290pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 47A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 AUIRF1010ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2840pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2840pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 75A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 AUIRF1010EZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 51A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 AUIRF1010EZS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 51A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRF1404Z AUIRF1404ZL AUIRF1404ZS AUIRF1404ZSTRL AUIRF1405 AUIRF1405ZL AUIRF1405ZS AUIRF1405ZS-7P AUIRF1405ZS-7TRL AUIRF1405ZSTRL AUIRF2804 AUIRF2804L AUIRF2804S AUIRF2804S-7P AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL7P AUIRF2804WL AUIRF2805
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