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AUIRF3205ZPBF

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  • AUIRF3205ZPBF
    AUIRF3205ZPBF

    AUIRF3205ZPBF

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部

    聯系人：朱小姐

    電話：13428937514

    地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813

    資質：營業執照

  • 50000

  • IR

  • TO-220

  • 14+

  • -

  • 公司現貨庫存，全新原裝正品。假一罰十,可...

  • AUIRF3205ZPBF
    AUIRF3205ZPBF

    AUIRF3205ZPBF

  • 深圳市三磚科技有限公司
    深圳市三磚科技有限公司

    聯系人：黃先生

    電話：18823887255

    地址：賽格科技園4棟西10樓C座

    資質：營業執照

  • 6500

  • VBsemi

  • TO220

  • 25+

  • -

  • 全新原裝正品現貨，全網好價

  • AUIRF3205ZPBF.
    AUIRF3205ZPBF.

    AUIRF3205ZPBF.

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 137945

  • IR

  • TO-220

  • 1315+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • AUIRF3205ZPBF.
    AUIRF3205ZPBF.

    AUIRF3205ZPBF.

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人：汪小姐

    電話：19240207240

    地址：華強北都會軒4507

    資質：營業執照

  • 30000

  • IR

  • TO-220

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應。品質保障

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
AUIRF3205ZPBF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
AUIRF3205ZPBF 技術參數
  • AUIRF3205Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 66A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3450pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRF3205 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 62A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:146nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3247pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRF3007 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.6 毫歐 @ 48A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3270pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRF3004WL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:240A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 195A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:210nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9450pF @ 32V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-262-3 寬引線 供應商器件封裝:TO-262-3 寬型 標準包裝:50 AUIRF2907ZS7PTL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7580pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 110A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片），TO-263CB 標準包裝:800 AUIRF3710ZSTRL AUIRF3805 AUIRF3805L AUIRF3805L-7P AUIRF3805S AUIRF3805S-7P AUIRF3805S-7TRL AUIRF3808S AUIRF4104 AUIRF4104S AUIRF4905 AUIRF4905L AUIRF4905S AUIRF4905STRL AUIRF5210S AUIRF5210STRL AUIRF540Z AUIRF540ZS
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