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BCR119 E6327(WK)

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    BCR119 E6327(WK)

    BCR119 E6327(WK)

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業執照

  • 10423

  • INFINEON

  • SOT23

  • 2025+

  • -

  • 絕對現貨

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  • 1
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BCR119 E6327(WK) 技術參數
  • BCR116WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR116WE6327BTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR116SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR116SE6327BTSA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR116E6433HTMA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:10,000 BCR129SH6327XTSA1 BCR129WE6327HTSA1 BCR129WH6327XTSA1 BCR12CM-12LB#BB0 BCR12CM-16LB#BB0 BCR12CM-16LH#BB0 BCR12CS-12LB#B00 BCR12CS-12LBT1#BH0 BCR12FM-12LB#BB0 BCR12FM-14LB#FA0 BCR12FM-14LJ#BB0 BCR12LM-16LH-1#B00 BCR12PM-12LA#B00 BCR12PM-12LAA8#B00 BCR133E6327HTSA1 BCR133E6393HTSA1 BCR133E6433HTMA1 BCR133SB6327XT
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