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BSC100N03LS G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BSC100N03LS G
    BSC100N03LS G

    BSC100N03LS G

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：張育豪 13360528695

    電話：0755-23607487

    地址：深圳市福田區(qū)華富路1006號(hào) 航都大廈11樓一層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 50000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 26+

  • -

  • 原裝原廠正品現(xiàn)貨

  • BSC100N03LS G
    BSC100N03LS G

    BSC100N03LS G

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infineon

  • 系列產(chǎn)品

  • 07+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • BSC100N03LS G
    BSC100N03LS G

    BSC100N03LS G

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • INFINEON

  • 近兩年生產(chǎn)

  • DFN-8

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠

  • BSC100N03LS G
    BSC100N03LS G

    BSC100N03LS G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • I

  • TDSON8

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共18條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSC100N03LS G 技術(shù)參數(shù)
  • BSC0996NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 34V 13A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC0993NDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC098N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 36μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC097N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC097N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 14μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1075pF @ 30V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1
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