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BSC109N10NS3 G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSC109N10NS3 G
    BSC109N10NS3 G

    BSC109N10NS3 G

    現貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯系人：陳先生 13360533550

    電話：0755-83289799

    地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質：營業執照

  • 50000

  • Infineon

  • TDSON-8

  • 26+

  • -

  • 原裝原廠正品現貨

  • BSC109N10NS3 G
    BSC109N10NS3 G

    BSC109N10NS3 G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 38310

  • INFINEON

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • BSC109N10NS3 G
    BSC109N10NS3 G

    BSC109N10NS3 G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 3500

  • Infineon

  • SO8

  • 13+

  • -

  • Infineon一級代理，價優

  • BSC109N10NS3 G
    BSC109N10NS3 G

    BSC109N10NS3 G

  • 深圳市深科創科技有限公司
    深圳市深科創科技有限公司

    聯系人：吳先生/吳小姐/朱先生

    電話：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票

  • 7500

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

  • 2020+

  • -

  • 全新原裝現貨 渠道優勢庫存 假一罰十

  • BSC109N10NS3 G
    BSC109N10NS3 G

    BSC109N10NS3 G

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • INFINEON/英飛凌

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSC109N10NS3 G
    BSC109N10NS3 G

    BSC109N10NS3 G

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人：李先生

    電話：0755-292759351581559886118576729816

    地址：廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 69800

  • INFINEON

  • 近兩年生產

  • DFN-8

  • -

  • 每一片都來自原廠

  • BSC109N10NS3 G 其他被動元件
    BSC109N10NS3 G 其他被動元件

    BSC109N10NS3 G 其他被動元件

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 16268

  • INFINEON/英飛凌

  • SuperSO8

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-Channel 100V MOSFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSC109N10NS3 G 技術參數
  • BSC106N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 15V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC105N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.4A（Ta），90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3900pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC100N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.4A（Ta），90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2900pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC100N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），50A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC100N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），44A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 15V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G BSC130P03LSGAUMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1
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