BTS282ZE3180A

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BTS282ZE3180A
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
50000
Infineon
TO263-7
26+
-
原裝原廠正品現貨

BTS282ZE3180AT
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
INFINEON
TO-220-7
15+
-
原裝正品，假一罰十

BTS282ZE3180A
深圳市藍山航業電子科技有限公司
深圳市藍山航業電子科技有限公司
聯系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
inf
22+
-
行業低價，代理渠道

BTS282ZE3180A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
853240
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

BTS282ZE3180AATMA2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
晶體管

BTS282ZE3180AATMA2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
8435
INFINEON/英飛凌
NA
22+
-
可訂貨，請確認

BTS282ZE3180AATMA2
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
晶體管

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
TEMPFET - Bulk

BTS282ZE3180A 技術參數

BTS282ZAKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7（成形引線）供應商器件封裝:PG-TO220-7 標準包裝:500 BTS282Z E3230 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-7 供應商器件封裝:PG-TO220-7-230 標準包裝:500 BTS282Z E3180A 功能描述:MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:49V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 240μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:232nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:PG-TO220-7-180 標準包裝:1 BTS247ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTS247ZE3043AKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 25V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:P-TO220-5 標準包裝:500 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1 BTS3110NHUMA1 BTS3110NNT BTS3118DATMA1 BTS3118NHUMA1 BTS3125EJXUMA1 BTS3125TFATMA1