F1T3G

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說明
操作

F1T3G
深圳市引芯科技發展有限公司
深圳市引芯科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區福華路世貿廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
256
Taiwan Semiconductor
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

F1T3G
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
臺半
R-1
22+
-
全新原裝現貨供應

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功能描述
整流器 1.0 Amp 200 Volt 150ns
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

F1T3G 技術參數

F-198U 功能描述:POWER XFMR CHASSIS MOUNT W/LEADS 制造商:triad magnetics 系列:- 零件狀態:有效類型:疊片核心電壓 - 初級:115V 電壓 - 次級（滿負載）:15.5V，32V 電流 - 輸出（最大值）:6A，1A 初級繞組:單一次級繞組:雙中心抽頭:是功率 - 最大值:122 VA 安裝類型:底座安裝端子類型:導線引線大小/尺寸:80.95mm 長 x 79.38mm 寬高度 - 安裝（最大值）:95.25mm 電壓 - 隔離:1500Vrms 標準包裝:8 F1978NCGK 功能描述:DIGITAL STEP ATTENUATOR 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:* 零件狀態:在售封裝/外殼:20-WFQFN 裸露焊盤標準包裝:490 F1977NBGI 功能描述:RF Attenuator 31.75dB ±0.1dB 5MHz ~ 3GHz 75 Ohm 32-WFQFN Exposed Pad 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效衰減值:31.75dB 容差:±0.1dB 頻率范圍:5MHz ~ 3GHz 功率（W）:- 阻抗:75 歐姆封裝/外殼:32-WFQFN 裸露焊盤標準包裝:490 F1977EVS 功能描述:EVALUATION SOLUTION FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效類型:衰減器頻率:- 配套使用產品/相關產品:F1977 所含物品:板標準包裝:1 F1977EVBI 功能描述:EVAL BOARD FOR F1977 制造商:idt, integrated device technology inc 系列:- 零件狀態:有效類型:衰減器頻率:- 配套使用產品/相關產品:F1977 所含物品:板標準包裝:1 F1T4GHA0G F1T4GHA1G F1T4GHR0G F1T5G A0G F1T5G A1G F1T5G R0G F1T5GHA0G F1T5GHA1G F1T5GHR0G F1T6G A0G F1T6G A1G F1T6G R0G F1T6GHA0G F1T6GHA1G F1T6GHR0G F1T7G A0G F1T7G A1G F1T7G R0G