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IRF7754G

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  • IRF7754GTRPBF
    IRF7754GTRPBF

    IRF7754GTRPBF

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • IR

  • TSSOP-8

  • 11+

  • -

  • 100%進口原裝正品，只做原裝

  • IRF7754G
    IRF7754G

    IRF7754G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：何芝

    電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 7500

  • IR

  • TSSOP8

  • 13+

  • -

  • 全新原裝，現貨，價優！

  • IRF7754GTRPBF
    IRF7754GTRPBF

    IRF7754GTRPBF

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知

  • 6743

  • I

  • MSOP-8

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • IRF7754GTRPBF
    IRF7754GTRPBF

    IRF7754GTRPBF

  • 甄芯網
    甄芯網

    聯系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B

    資質：營業執照

  • 6743

  • I

  • MSOP-8

  • 13+

  • -

  • 不止網址數量.以電話為準

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IRF7754G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
IRF7754G 技術參數
  • IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 5.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 IRF7756TR IRF7756TRPBF IRF7757TR IRF7757TRPBF IRF7759L2TR1PBF IRF7759L2TRPBF IRF7769L1TRPBF IRF7769L2TR1PBF IRF7769L2TRPBF IRF7779L2TR1PBF IRF7779L2TRPBF IRF7780MTRPBF IRF7799L2TR1PBF IRF7799L2TRPBF IRF7805A IRF7805APBF IRF7805ATR IRF7805ATRPBF
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