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IXGN82N120B3H1

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  • IXGN82N120B3H1
    IXGN82N120B3H1

    IXGN82N120B3H1

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • IXYS

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • IXGN82N120B3H1
    IXGN82N120B3H1

    IXGN82N120B3H1

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 52388

  • IXYS/艾賽斯

  • SOT-227U

  • 24+

  • -
  • 原裝正品 華強現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
IXGN82N120B3H1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
  • RoHS
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
IXGN82N120B3H1 技術參數
配單專家

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