MT29F1G08ABCHC：CTR

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MT29F1G08ABCHC:CTR
深圳市歐和寧電子有限公司
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地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
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Micron
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MT29F1G08ABCHC：CTR 技術參數

MT29F1G08ABCHC:C TR 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 MT29F1G08ABCHC:C 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:* 零件狀態:在售格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:1G（128M x 8）速度:25ns 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 MT29F1G08ABBEAHC-IT:E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP VFBGA 1.8V ASYNCH/PAGE RE - Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1GBIT VFBGA MT29F1G08ABBEAH4-IT:E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX8 NAND FLASH PLASTIC IND TEMP VFBGA 1.8V ASYNCH/PAGE RE - Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 1GBIT VFBGA MT29F1G16ABBDAHC-IT:D MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 MT29F1G16ABBEAH4:E MT29F1G16ABBEAH4:E TR MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR MT29F1G16ABBEAH4-IT:E MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR MT29F1G16ABBEAHC:E MT29F1G16ABBEAHC:E TR MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR MT29F1G16ABBEAHC-IT:E MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 MT29F1G16ABBEAMD-IT:E