MT4HTF3264HY53EB3

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MT4HTF3264HY53EB3 技術參數

MT4HTF3264AY-667D3 功能描述:MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:256MB 速度:667MT/s 封裝/外殼:240-UDIMM 標準包裝:100 MT49H8M36FM-5 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT49H8M36FM-33 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT49H8M36FM-25:B 功能描述:IC RLDRAM 288MB 144UBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步存儲容量:128K（8K x 16）速度:15ns 接口:并聯電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14）包裝:托盤其它名稱:70V25S15PF MT49H8M36FM-25 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT4HTF3264HZ-800H1 MT4HTF6464AY-40EA1 MT4HTF6464AY-53EA1 MT4HTF6464AY-667E1 MT4HTF6464AZ-667H1 MT4HTF6464AZ-800H1 MT4HTF6464AZ-800M1 MT4HTF6464HY-667E1 MT4HTF6464HZ-667H1 MT4HTF6464HZ-800H1 MT4HTF6464HZ-800M1 MT4JSF12864HZ-1G1D1 MT4JSF12864HZ-1G4D1 MT4JSF12864HZ-1G6D1 MT4JSF6464HY-1G4B1 MT4JTF12864AZ-1G1D1 MT4JTF12864AZ-1G4D1 MT4JTF12864AZ-1G6D1