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SGR2N60UFTF

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  • SGR2N60UFTF
    SGR2N60UFTF

    SGR2N60UFTF

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業執照

  • 1523

  • FSC

  • TO252

  • 2025+

  • -

  • 絕對現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 功能描述
  • IGBT 晶體管
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
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