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STG1764X-13 B

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  • STG1764X-13 B
    STG1764X-13 B

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 4000

  • ST

  • QFP124

  • 96+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • STG1764X-13 B
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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STG1764X-13 B 技術參數
  • STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:139nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV） 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STG3684AQTR STG3684AUTR STG3684QTR STG3689DTR STG3690QTR STG3692QTR STG3693QTR STG3696EQTR STG3699ADWF STG3699AQTR STG3699AUTR STG3699BVTR STG3699QTR STG3820BJR STG3856QTR STG3P2M10N60B STG4158BJR STG4159BJR
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