STH315N10F7-2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STH315N10F7-2
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質：營業執照
31930
ST(意法)
22+
-
原裝原廠現貨

STH315N10F7-2
現貨
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯
電話：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大廈B座907
1000
ST
TO-263
2225+
-
全新原裝無鉛

STH315N10F7-2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5185
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STH315N10F7-2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
H2PAK
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

STH315N10F7-2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6000
ST/意法半導體
H2PAK-2
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

1/1頁 40條/頁共17條
1

您是不是要找： STH315N10F7-6 STH320N4F6-2 STH320N4F6-6 STH360N4F6-2 STH3N150-2 STH400N4F6-2 STH400N4F6-6 STH410N4F7-2AG STH410N4F7-6AG

STH315N10F7-2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STH315N10F7-2 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
制造商
stmicroelectronics
系列
DeepGATE?，STripFET? VII
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
180A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.3 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
180nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
12800pF @ 25V
功率 - 最大值
315W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型
供應商器件封裝
H2PAK
標準包裝
1

STH315N10F7-2 技術參數

STH310N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）變型供應商器件封裝:* 標準包裝:1 STH310N10F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH300NH02L-6 功能描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:109nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7050pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH290N4F6-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 歐姆 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7380pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK-6 標準包裝:1 STH290N4F6-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 歐姆 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7380pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G STH71W STH72B STH72G STH72W STH80N10F7-2 STHAFC36P0701901000 STHAFC36P0701902000 STHDLS101QTR