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STL6562

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說明
操作

STL6562D
深圳市三磚科技有限公司
深圳市三磚科技有限公司
聯系人：黃先生
電話：18823887255
地址：賽格科技園4棟西10樓C座
資質：營業執照
23800
ST/意法
SOP
25+
-
全新原裝現貨，價格優勢，假一罰十

STL6562
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：18948176968
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
58
IR
DIP-8
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

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STL6562 技術參數

STL62P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3350pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL60P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3525pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL60NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL60N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.1 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1290pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL60N32N3LL 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A，60A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.2 毫歐 @ 6.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 25V 功率 - 最大值:23W，50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL6N3LLH6 STL6NM60N STL6P3LLH6 STL70N10F3 STL70N4LLF5 STL72 STL73 STL73D STL73D-AP STL-750-3-01 STL-750-8-01 STL75N3LLZH5 STL75N8LF6 STL75NH3LL STL7DN6LF3 STL7LN80K5 STL7N10F7 STL7N60M2