TE28F160B3TC70

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TE28F160B3TC70
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：張育豪 13360528695
電話：0755-23607487
地址：深圳市福田區華富路1006號航都大廈11樓一層
資質：營業執照
7790
INTEL/英特爾
TSSOP
22+
-
原廠原裝現貨

TE28F160B3TC70
優勢
深圳市藍山航業電子科技有限公司
深圳市藍山航業電子科技有限公司
聯系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
15
INTEL
TSOP48
20+
-
原裝正品自家深圳現貨

TE28F160B3TC70
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
INTEL
TSOP
15+
-
原裝正品，假一罰十

TE28F160B3TC70
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
INTEL
BGA
10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

TE28F160B3TC70
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9632
INTEL
TSOP48
0307+
-
絕對公司原裝現貨

TE28F160B3TC70
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：劉春蘭
電話：19129491434(微信同號)
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
10000
XILINX
QFP
2013+
-
原裝熱賣

1/1頁 40條/頁共15條
1

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制造商
INTEL
制造商全稱
Intel Corporation
功能描述
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

TE28F160B3TC70 技術參數

TE28F160B3BD70A 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 TE28F128P33T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線）電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) TE28F128P33B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128P30T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F128P30B85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ TE28F256J3F105A TE28F256P30B95A TE28F256P30BFA TE28F256P30T95A TE28F256P30TFA TE28F256P33B95A TE28F256P33BFA TE28F256P33T95A TE28F256P33TFA TE28F320C3BD70 TE28F320C3TD70A TE28F320J3C110SL7H8 TE28F320J3D75A TE28F640J3C115SL7HA TE28F640J3D75A TE28F640J3D75B TE28F640J3D75B TR TE28F640P30B85A