JAN1N5550

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

JAN1N5550
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
432
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

JAN1N5550
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
432
MSC
-
公司現貨,只做原裝！

JAN1N5550
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
B
23+
-
微芯專營優勢產品

JAN1N5550
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N5550
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

JAN1N5550
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
SEMTECH
con
24+
-
電子元件

JAN1N5550
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
20000
MICROSEMI
B-Pkg
15+
-
原裝正品，價格優勢！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 200V 5A 2-Pin Case E
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) (REC) - Bulk

JAN1N5550 技術參數

JAN1N5546DUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5546D-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N5546CUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±2% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5546C-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JAN1N5546BUR-1 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±5% Surface Mount 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 29.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:* 標準包裝:1 JAN1N5555 JAN1N5556 JAN1N5558 JAN1N5610 JAN1N5611 JAN1N5612 JAN1N5614 JAN1N5614US JAN1N5615 JAN1N5615US JAN1N5616 JAN1N5616/TR JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619