MCH6436-TL-E

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說明
操作

MCH6436-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANYO
SOT363
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

MCH6436-TL-E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
9250
ON
MCPH6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

MCH6436-TL-E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
14650
ON SEMICO
REEL
1521+
-
全新原裝現貨

MCH6436-TL-E
深圳市源運電子商行
深圳市源運電子商行
聯系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區板田街道荔園新村55棟1樓
2000
ON
16+
-

MCH6436-TL-E
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
2520
ON Semiconductor
N/A ㊣品
N/A 全新進口
-
國內授權代理分銷

MCH6436-TL-E
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業執照
3000
SANYO
SOT-363
09+
-
價格談到可做

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功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

MCH6436-TL-E 技術參數

MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E MCH6605-TL-E MCH6606-TL-E MCH6613-TL-E MCH6626-TL-E MCH6660-TL-H MCH6660-TL-W MCH6661-TL-W MCH6662-TL-H