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NCV8403BDTRKG

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市高創鑫電子科技有限公司
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    聯系人:曾小姐

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    地址:深圳市福田區華強北路賽格科技園4棟西10樓C052房間

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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯系人:張小姐/韓先生

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NCV8403BDTRKG 技術參數
  • NCV8403ASTT3G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8403ASTT1G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8403ADTRKG 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8402STT3G 功能描述:MOSFET NCV8402 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8402STT1G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NCV8406DTRKG NCV8406STT3G NCV8408BDTRKG NCV8408DTRKG NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT3G NCV8440STT1G NCV8440STT3G NCV8445DR2G NCV8450ASTT3G NCV8450STT3G NCV8452STT1G NCV8452STT3G NCV8460ADR2G NCV8461DR2G NCV8501D100 NCV8501D100G NCV8501D100R2
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