NX138BKR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NX138BKR
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
13620
NXP
NA
24+
-
只做全新原裝正品現貨

NX138BKR
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
722
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

NX138BKR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

NX138BKR
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
722
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： NX138BKSF NX138BKSX NX138BKVL NX138BKWF NX138BKWX NX-15T-CV NX-15T-CV1 NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1 NX1612AA-26MHZ STD-CSI-3

NX138BKR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NX138BKR PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 60V TO-236AB
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
265mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.49nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
20.2pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
3.5 歐姆 @ 200mA，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
TO-236AB（SOT23）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
標準包裝
1

NX138BKR 技術參數

NX138AKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138AKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:325mW (Ta) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 190mA, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 NX1255GB-8.000000MHZ 功能描述:8MHz ±50ppm 晶體 12pF 80 歐姆 -10°C ~ 70°C 表面貼裝 4-SMD，無引線（DFN，LCC）制造商:ndk 系列:NX1255GB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MHz 晶體頻率:8MHz 頻率穩定度:±50ppm 頻率容差:±50ppm 負載電容:12pF ESR（等效串聯電阻）:80 歐姆工作模式:基諧工作溫度:-10°C ~ 70°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）大小/尺寸:0.465" 長 x 0.217" 寬（11.80mm x 5.50mm）高度:0.104"（2.65mm）標準包裝:1 NX1255GB-7.372800MHZ 功能描述:7.3728MHz ±50ppm 晶體 12pF 120 歐姆 -10°C ~ 70°C 表面貼裝 4-SMD，無引線（DFN，LCC）制造商:ndk 系列:NX1255GB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MHz 晶體頻率:7.3728MHz 頻率穩定度:±50ppm 頻率容差:±50ppm 負載電容:12pF ESR（等效串聯電阻）:120 歐姆工作模式:基諧工作溫度:-10°C ~ 70°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）大小/尺寸:0.465" 長 x 0.217" 寬（11.80mm x 5.50mm）高度:0.104"（2.65mm）標準包裝:1 NX1255GB-6.144000MHZ 功能描述:6.144MHz ±50ppm 晶體 12pF 120 歐姆 -10°C ~ 70°C 表面貼裝 4-SMD，無引線（DFN，LCC）制造商:ndk 系列:NX1255GB 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:MHz 晶體頻率:6.144MHz 頻率穩定度:±50ppm 頻率容差:±50ppm 負載電容:12pF ESR（等效串聯電阻）:120 歐姆工作模式:基諧工作溫度:-10°C ~ 70°C 等級:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線（DFN，LCC）大小/尺寸:0.465" 長 x 0.217" 寬（11.80mm x 5.50mm）高度:0.104"（2.65mm）標準包裝:1 NX1612AA-26MHZ-TI2 NX1612AA-40MHZ-EXS00A-CS05020 NX1612SA-32.000MHZ-CHP-CIS-3 NX1612SA-50M-EXS00A-CS08403 NX18P3001UK NX1BL-15T-KT3B NX1BL-15T-KT3B(05) NX1BL-15T-KT9B NX1BL-15T-KT9B(05) NX1BL-25T-KT3B NX1BL-25T-KT3B(05) NX1BL-25T-KT9B NX1BL-25T-KT9B(05) NX1BL-32T-KT3B NX1BL-32T-KT3B(05) NX1BL-32T-KT9B NX1BL-32T-KT9B(05) NX1P2-1040DT