STB100N6F7

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STB100N6F7
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
ST
TO-263
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

STB100N6F7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STB100N6F7
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
10000
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STB100N6F7
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6002
ST/意法半導體
TO-263-3
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STB100N6F7
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
357190
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STB100N6F7
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：張經理
電話：18653422656
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
357190
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STB100N6F7
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
357190
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

STB100N6F7
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STB100N6F7
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
200000
YXYBDT臺灣
D2PAKTO-263
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

STB100N6F7
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
1000
ST MICROELECTRONICS
價格優勢
2329
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功能描述
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F7
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5.6 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
30nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1980pF @ 25V
功率 - 最大值
125W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK
標準包裝
1

STB100N6F7 技術參數

STB100N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4369pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB0FS12A-AD-BA 功能描述:LED Lighting Color 2525 Blue 455nm (450nm ~ 460nm) 2-SMD, No Lead 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:2525 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效顏色:藍波長:455nm（450nm ~ 460nm）電流 - 測試:150mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:3.2V 不同測試電流時的流明/瓦:- 電流 - 最大值:300mA 通量 @ 電流/溫度 -測試:220mW（200mW ~ 240mW）溫度 - 測試:25°C 視角:140° 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線封裝熱阻:17°C/W 標準包裝:1 STARTKIT-M24LR-A 功能描述:STARTER KIT M24LR-64-R 制造商:stmicroelectronics 系列:- 零件狀態:過期類型:讀取器模塊頻率:13.56MHz 配套使用產品/相關產品:M24LR-64-R 所含物品:2 根基準天線，I2C 和 RFID 讀取器，樣品標準包裝:1 START499ETR 功能描述:TRANS RF SILICON NPN SOT-343 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:1.9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.3dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:600mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:160 @ 160mA，4V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:SOT-343 標準包裝:1 START499D 功能描述:TRANS RF NPN 4.5V 1A SOT-89 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:13dB ~ 14dB 功率 - 最大值:1.7W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 160mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 STB10N60M2 STB10N65K3 STB10N95K5 STB10NK60Z-1 STB10NK60ZT4 STB11N52K3 STB11N65M5 STB11NK40ZT4 STB11NK50ZT4 STB11NM60-1 STB11NM60FDT4 STB11NM60N-1 STB11NM60T4 STB11NM80T4 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4