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STGB30V60F

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STGB30V60F
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集好芯城
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電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
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ST/意法
N
22+
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STGB30V60F
北京耐芯威科技有限公司
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聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

STGB30V60F
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-263
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功能描述
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
600V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
60A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
120A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.3V @ 15V，30A
功率 - 最大值
260W
開關能量
383μJ（開），233μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
163nC
25°C 時 Td（開/關）值
45ns/189ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
-
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
D2PAK
標準包裝
1

STGB30V60F 技術參數

STGB30V60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 258W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 開關能量:383μJ（開），233μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:163nC 25°C 時 Td（開/關）值:45ns/189ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，20A 功率 - 最大值:200W 開關能量:305μJ（開），181μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:102nC 25°C 時 Td（開/關）值:29.5ns/118ns 測試條件:390V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 60A 185W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):125A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，20A 功率 - 最大值:185W 開關能量:350μJ（開），435μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:96nC 25°C 時 Td（開/關）值:29ns/120ns 測試條件:480V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 STGB30M65DF2 功能描述:IGBT 650V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 開關能量:300μJ（開），960μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:80nC 25°C 時 Td（開/關）值:31.6ns/115ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:140ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30H60DLFB 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關能量:393μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:149nC 25°C 時 Td（開/關）值:-/146ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB4M65DF2 STGB5H60DF STGB6M65DF2 STGB6NC60HD-1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4