STW40N95DK5

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STW40N95DK5
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
30
ST
TO-247
21+
-

STW40N95DK5
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：汪小姐
電話：19240207240
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
20000
ST/意法
TO-247
24+
-
優勢供應品質保障可開13點發票

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? DK5
包裝
管件
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
950V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
38A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
3480pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
450W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
130 毫歐 @ 19A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
標準包裝
30

STW40N95DK5 技術參數

STW40N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 STW40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW40N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW40N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW40100C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247AD 標準包裝:30 STW45N60DM2AG STW45N65M5 STW45NM50 STW45NM50FD STW45NM60 STW46NF30 STW47NM60ND STW48N60DM2 STW48N60M2 STW48N60M2-4 STW48NM60N STW4N150 STW5093CYLT STW50N65DM2AG STW50NB20 STW52NK25Z STW54NK30Z STW54NM65ND