| 型號: | 1231AS-H-2R2M |
| 廠商: | TOKO INC |
| 元件分類: | 通用定值電感 |
| 英文描述: | 1 ELEMENT, 2.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| 封裝: | CHIP, 3537-18M, ROHS COMPLIANT |
| 文件頁數: | 1/2頁 |
| 文件大小: | 181K |
| 代理商: | 1231AS-H-2R2M |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1094AS-220M | 1 ELEMENT, 22 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| 10B4B41 | 4.3 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 10G4B41 | 4.3 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 10BF60TR | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| 10CTQ140-003 | 10 A, 140 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 1231AS-H-2R2M=P3 | 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.55A 48 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.55A 電流 - 飽和值:1.9A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):48 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.146" 長 x 0.154" 寬(3.70mm x 3.90mm) 高度 - 安裝(最大值):0.071"(1.80mm) 標準包裝:1 |
| 1231AS-H-3R3M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 3.3uH 20% 2.25A |
| 1231AS-H-3R3M=P3 | 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.25A 60 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:2.25A 電流 - 飽和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):60 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.146" 長 x 0.154" 寬(3.70mm x 3.90mm) 高度 - 安裝(最大值):0.071"(1.80mm) 標準包裝:1 |
| 1231AS-H-4R7M | 制造商:TOKO Inc 功能描述:Inductor fixed SMD 4.7uH 20% 2A |
| 1231AS-H-4R7M=P3 | 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 2A 72 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:1.35A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):72 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.146" 長 x 0.154" 寬(3.70mm x 3.90mm) 高度 - 安裝(最大值):0.071"(1.80mm) 標準包裝:1 |